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詳解時域瞬態分析技術
當打開或關閉 LED 時，隨著光線變亮或變暗有一個緩慢的過渡。這種類型的瞬態行為非常簡單，但這是一個電子系統改變狀態時的基本反應。使用瞬態分析可以充分理解時域中的信號轉換，以及它們與重要系統參數的關系。
2022-01-26
時域瞬態
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貿澤電子授權分銷超49000種Amphenol產品
2022年1月26日 – 專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 分銷全球知名互聯系統供應商Amphenol Corporation的新款產品和解決方案。貿澤備貨Amphenol及其41個部門的全系列產品，總數超過49600種。
2022-01-26
貿澤電子 授權分銷 Amphenol
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SRII推出兩款ALD新品，滿足泛半導體應用多功能性和靈活性的需求
原子層沉積（ALD）工藝被認為是邏輯和存儲半導體器件微縮化的重要推動力。過去20年，ALD工藝及設備已經廣泛應用于邏輯和存儲器件的大批量制造，不斷推動諸如動態隨機存取存儲器（DRAM）、先進的鰭式場效應晶體管（FinFET）以及柵極環繞晶體管等器件性能的改進與創新。隨著摩爾定律放緩，ALD工藝逐漸...
2022-01-26
SRII ALD 泛半導體
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工業和汽車行業如何從 5G 中受益
5G 不僅僅是局限于對移動通訊技術的改進，更高的下載速度可能會增強智能手機的瀏覽體驗，但 5G 的真正影響巨大的應用更有可能尚未出現。本文中我們討論5G如何會影響工業和汽車行業，以及您如何把 5G 構建到您的下一個設計項目。
2022-01-26
工業行業 汽車行業 5G
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PMDE封裝的實機評估
本文將使用車載LED驅動器BD81A44EFV-M及其評估板，對PMDU和PMDE的發熱和效率進行比較評估，并以車載LED驅動器BD81A44EFV-M及其評估板確認其結果。
2022-01-26
PMDE封裝 實機評估
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大功率二極管晶閘管知識連載——熱特性
功率二極管晶閘管廣泛應用于AC/DC變換器，UPS，交流靜態開關，SVC和電解氫等場合，但大多數工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動態特性，控制特性，保護以及損耗與熱特性。內容摘來自英飛凌《雙極性半導體技術信息》。
2022-01-26
二極管 晶閘管 熱特性
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IGBT和MOSFET該用誰？你選對了嗎？
半導體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關器件，具有開關速度快、易于驅動、損耗低等優勢。IGBT全稱是絕緣柵極型功率管，是由雙極型三極管（BJT）和MOSFET組成的復合全控型電壓驅動式半導體功率器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和BJ...
2022-01-26
IGBT MOSFET
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