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培育新質(zhì)生產(chǎn)力，CITE 2024專精特新系列活動(dòng)全面升級(jí)
中央經(jīng)濟(jì)工作會(huì)議提出，要以科技創(chuàng)新推動(dòng)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新，特別是以顛覆性技術(shù)和前沿技術(shù)催生新產(chǎn)業(yè)、新模式、新動(dòng)能，發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力。會(huì)議還強(qiáng)調(diào)，要深化重點(diǎn)領(lǐng)域改革，促進(jìn)中小企業(yè)專精特新發(fā)展。
2024-02-02
CITE 2024 人工智能 芯片半導(dǎo)體 移動(dòng)通訊 數(shù)字娛樂(lè) 機(jī)器人 無(wú)人機(jī) 物聯(lián)網(wǎng)
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鎖相環(huán)路構(gòu)成與工作機(jī)制
通過(guò)環(huán)路濾波器轉(zhuǎn)化為壓控電壓加到壓控振蕩器上，使壓控振蕩器的輸出頻率Vout逐步同步于輸入信號(hào)Vin，直到兩個(gè)信號(hào)的頻率逐漸同步，相位差也在測(cè)量誤差范圍內(nèi)，那么整個(gè)系統(tǒng)就穩(wěn)定下來(lái)了。
2024-02-01
鎖相環(huán)路 環(huán)路濾波器
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談?wù)凷iC MOSFET的短路能力
在電力電子的很多應(yīng)用，如電機(jī)驅(qū)動(dòng)，有時(shí)會(huì)出現(xiàn)短路的工況。這就要求功率器件有一定的扛短路能力，即在一定的時(shí)間內(nèi)承受住短路電流而不損壞。目前市面上大部分IGBT都會(huì)在數(shù)據(jù)手冊(cè)中標(biāo)出短路能力，大部分在5~10us之間，例如英飛凌IGBT3/4的短路時(shí)間是10us，IGBT7短路時(shí)間是8us。而 大 部 分 的 SiC M...
2024-02-01
SiC MOSFET 短路
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旁路電容和耦合電容：以正確的方式穩(wěn)定電壓
電子產(chǎn)品開(kāi)發(fā)期間經(jīng)常需要用到旁路電容。圖1所示為一個(gè)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，可以從高電壓產(chǎn)生低電壓。在這種類(lèi)型的電路中，旁路電容(CBYP)尤為重要。它必須支持輸入路徑上的開(kāi)關(guān)電流，使得電源電壓足夠穩(wěn)定，能夠支持設(shè)備運(yùn)行。
2024-02-01
旁路電容 耦合電容 電壓
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實(shí)用技巧分享：為特定的模擬開(kāi)關(guān)構(gòu)建宏模型
如果我的模擬設(shè)計(jì)中包含開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器，那么還能改進(jìn)開(kāi)關(guān)/多路復(fù)用器LTspice?模型嗎？當(dāng)然能，要生成自己的模型并不困難。本文將以工程師角度為您詳細(xì)介紹如何為特定的模擬開(kāi)關(guān)構(gòu)建不錯(cuò)的宏模型，以及如何獲取參數(shù)，為實(shí)現(xiàn)物理器件的多個(gè)不同的半導(dǎo)體工藝提供支持。
2024-02-01
模擬開(kāi)關(guān) 宏模型
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模電的半壁江山——運(yùn)算放大器的原理和應(yīng)用
大家學(xué)習(xí)電子都會(huì)接觸運(yùn)算放大器，常常聽(tīng)到虛短虛斷一說(shuō)。虛短虛斷是解開(kāi)負(fù)反饋運(yùn)放電路的核心方法，具體就要從運(yùn)放的原理開(kāi)始說(shuō)起了。
2024-01-31
模電 運(yùn)算放大器
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如何在ADI DSP中設(shè)計(jì)一個(gè)合理的混響？
本文圍繞對(duì)混響的需求、原理以及實(shí)現(xiàn)流程展開(kāi)詳細(xì)描述，一方面可以幫助大家了解混響效果的一些基本知識(shí)，另一方面工程師可以參考這些模型用到自己的產(chǎn)品上，從而設(shè)計(jì)出比較貼合自身產(chǎn)品的算法。
2024-01-31
ADI DSP 混響
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