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二次整流電路設(shè)計(jì)難點(diǎn)解析
在電源工程師歡呼有源鉗位正激轉(zhuǎn)換器(ACFC)突破50%占空比限制之際，一個(gè)被長(zhǎng)期忽視的設(shè)計(jì)陷阱正在浮現(xiàn)——最小占空比(Dmin)的精細(xì)控制已成為決定系統(tǒng)可靠性的生死線。實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)顯示，當(dāng)Dmin低于15%時(shí)，ACFC的開(kāi)關(guān)損耗會(huì)陡增300%，電磁干擾(EMI)惡化達(dá)18dBμV。
2025-04-08
二次整流電路
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碳化硅能效革命核心突破點(diǎn)：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)詳解
安森美（onsemi）推出的碳化硅共源共柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC JFET cascode）在硬開(kāi)關(guān)與軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用場(chǎng)景中展現(xiàn)出顯著技術(shù)優(yōu)勢(shì)。其官方發(fā)布的《SiC JFET共源共柵應(yīng)用指南》系列文檔，通過(guò)三篇技術(shù)解析深入剖析器件特性，本文作為開(kāi)篇之作，將聚焦闡釋cascode結(jié)構(gòu)的核心機(jī)理。該指南不僅系統(tǒng)闡述共源共柵器...
2025-04-08
碳化硅 共源共柵 安森美
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福祿克聲學(xué)新品震撼上市
在全球聲學(xué)檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，福祿克公司一直以其創(chuàng)新精神和卓越品質(zhì)著稱(chēng)。近期，福祿克發(fā)布了最新款ii1020C工業(yè)聲學(xué)成像儀，在性能、功能和用戶體驗(yàn)上均實(shí)現(xiàn)了顯著提升，旨在為工業(yè)檢測(cè)和電力設(shè)備維護(hù)提供更為高效和精準(zhǔn)的解決方案。
2025-04-08
福祿克
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「芯」動(dòng)之旅 「易」起相約2025慕尼黑上海電子展
全球前沿的電子元器件供應(yīng)鏈服務(wù)商安芯易電子商務(wù)(深圳)有限公司即將精彩亮相2025慕尼黑上海電子展(4月15-17日)。作為連續(xù)四年入圍全球電子元器件分銷(xiāo)商TOP50的行業(yè)標(biāo)桿企業(yè)，安芯易此次將以“N2館741號(hào)”為核心展區(qū)，通過(guò)創(chuàng)新的線上線下雙軌互動(dòng)模式，為全球電子制造業(yè)同仁呈現(xiàn)一場(chǎng)融合尖端技術(shù)與趣...
2025-04-08
慕尼黑
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賦能AI與能源及數(shù)字化轉(zhuǎn)型，TDK解決方案亮相慕尼黑上海電子展
TDK株式會(huì)社4月7日宣布，將于2025年4月15日至17日慕尼黑上海電子展（展位號(hào)N1.210），圍繞「為可持續(xù)的未來(lái)加速轉(zhuǎn)型」的核心理念，集中展示人工智能技術(shù)應(yīng)用、綠色能源與數(shù)字化轉(zhuǎn)型的前沿創(chuàng)新成果，覆蓋電子應(yīng)用全領(lǐng)域的創(chuàng)新技術(shù)和產(chǎn)品解決方案，推動(dòng)各行業(yè)向更智能、更高效、更低碳的未來(lái)加速轉(zhuǎn)型。
2025-04-08
AI 能源 數(shù)字化轉(zhuǎn)型 TDK
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光與波的博弈：紅外vs雷達(dá)人體感應(yīng)器技術(shù)原理與場(chǎng)景適配方案全解析
人體感應(yīng)雷達(dá)模組的工作原理是基于多普勒效應(yīng)和目標(biāo)反射原理，通過(guò)發(fā)射毫米波信號(hào)并接收反射信號(hào)來(lái)檢測(cè)人體的存在、運(yùn)動(dòng)狀態(tài)和位置信息。這些信息可以被用于觸發(fā)智能設(shè)備的啟動(dòng)與停止，實(shí)現(xiàn)智能化的生活場(chǎng)景，常應(yīng)用于人體存在感知、智能家居、智能家電、智慧酒店、智能辦公、節(jié)能、節(jié)電控制器等領(lǐng)域。
2025-04-07
紅外人體感應(yīng)器 雷達(dá)人體感應(yīng)器
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第18講：SiC MOSFET的動(dòng)態(tài)特性
SiC MOSFET的閾值電壓（VGS(th)）通常低于Si IGBT。降低閾值電壓可降低SiC MOSFET的通態(tài)電阻。驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET需要對(duì)柵極施加負(fù)偏壓，并仔細(xì)設(shè)計(jì)控制電路布線，這是為了防止噪聲干擾引起的故障。此外，閾值電壓隨著溫度升高而降低（圖1），因此建議在高溫運(yùn)行期間檢查是否有異常。
2025-04-07
SiC MOSFET 閾值電壓
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