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第10講：SiC的加工工藝（2）柵極絕緣層
SiC可以通過與Si類似的熱氧化過程，在晶圓表面形成優質的SiO2絕緣膜。這在制造SiC器件方面具有非常大的優勢。在平面柵SiC MOSFET中，這種熱氧化形成的SiO2通常被用作柵極絕緣膜，并已實現產品化。然而，SiC的熱氧化與Si的熱氧化存在一些差異，在將熱氧化工藝應用于SiC器件時必須考慮到這一點。
2024-12-02
SiC 柵極絕緣層
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貿澤推出RISC-V技術資源中心 探索開源的未來
貿澤電子推出內容豐富的RISC-V資源中心，為設計工程師提供新技術和新應用的相關知識。隨著開源架構日益普及，RISC-V從眾多選項中脫穎而出，成為開發未來先進軟硬件的新途徑。從智能手機和IoT設備，再到高性能計算，RISC-V正在各行各業中發展成為更主流的指令集架構 (ISA)。
2024-12-02
貿澤 RISC-V技術
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迎機遇、創發展，廣州國際汽車電子&功率半導體技術盛會，邀您共精彩！
3.1.jpg 2025年11月20-22日，第十二屆廣州國際汽車電子技術展覽會，將于廣州保利世貿博覽館盛大舉辦！
2024-11-29
AUTO TECH China
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英飛凌推出集成I2t線路保護功能的PROFET Wire Guard，通過eFuses實現可靠配電
現代分散式分區配電架構需要可靠的解決方案。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）通過 PROFET? Wire Guard為開發人員提供先進的現代配電線路保護。
2024-11-29
英飛凌
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意法半導體比較器具有故障安全和啟動時間保障，提高可靠性，節省電能
意法半導體的TS3121和TS3121A軌對軌、開漏、單通道比較器具有創新的故障安全架構和啟動時間保障，可以簡化短時間啟動過程，在低功率應用中最大限度地降低功耗。
2024-11-28
意法半導體 比較器
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貿澤電子深入探討以人為本的工業5.0新變革
貿澤電子 (Mouser Electronics) 發布新一期Empowering Innovation Together (EIT) 技術系列，重點介紹新興的工業5.0格局。在這個工業化的新階段，人類、環境和社會等因素都將作為重要的方面，體現在未來工廠車間的先進技術、機器人和智能機器中。
2024-11-28
貿澤電子 工業5.0
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開拓創新，引領醫療植入物與醫療保健解決方案的發展潮流
憑借超過40年的專業經驗和卓越的可靠性，瑞士微晶（Micro Crystal）生產的組件能夠滿足苛刻的醫療應用需求。特別是，其推出的首款全陶瓷封裝的實時時鐘模塊（RTC），不僅具有超低時間保持功耗，還具備防氦特性。
2024-11-28
醫療保健解決方案
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兩輪電動車觸摸屏對觸摸控制器提出的獨特要求
雖然無數關于未來交通的文章都以四輪電動車作為討論重點，但在印度、馬來西亞、泰國和印度尼西亞等諸多國家，出行更依賴于經濟的兩輪電動車，包括踏板式摩托車、重型摩托車、電動摩托車、電動輕便摩托車和電動自行車。這些兩輪電動車緊跟四輪電動車的設計趨勢，采用觸摸屏進行控制，而不用物理旋鈕...
2024-11-27
兩輪電動車 觸摸控制器 觸摸屏
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英飛凌推出OptiMOS Linear FET 2 MOSFET，賦能先進的熱插拔技術和電池保護功能
【2024年11月25日, 德國慕尼黑訊】為了滿足AI服務器和電信領域的安全熱插拔操作要求，MOSFET必須具有穩健的線性工作模式和較低的 RDS(on)。
2024-11-27
英飛凌
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