【導讀】隨著AI終端、邊緣計算、高性能計算及車載電子產業快速迭代，市場對內存帶寬、傳輸穩定性與能效表現的要求持續升級。JEDEC全新LPDDR6內存標準的落地，推動低功耗內存技術邁入全新迭代周期。作為行業核心接口IP供應商，新思科技率先完成技術突破，在臺積電N2P先進工藝下，實現LPDDR6內存10.67Gbps主流速率的穩定讀寫驗證，獲取優質信號眼圖，同時完成14.4Gbps超高速率技術儲備。此次實測驗證成果，標志著LPDDR6技術已具備成熟的芯片落地條件，為移動終端、智能汽車、AI算力設備等多領域產品升級夯實了底層技術根基，也加速了全行業LPDDR6生態規模化落地進程。
作為行業領先的接口 IP 供應商，新思科技近期完成了一項重要驗證：LPDDR6/5X/5 PHY IP 在首批 LPDDR6 SDRAM 樣片支持的最高速率——10.67Gbps 下，實現了穩定可靠的讀寫傳輸，并獲得清晰且開口良好的眼圖。這一成果不僅驗證了其出色的信號完整性和訓練算法穩定性，也證明該 IP 已經具備支持下一代移動設備、AI 終端及嵌入式系統的硅實現能力。
圖1：LPDDR6 SDRAM 在 10.67Gbps 速率下的測試結果
這項成果延續了新思科技此前在臺積公司（TSMC）N2P 工藝節點上成功完成 LPDDR6 IP 芯片點亮的重要進展，為產業生態更早導入 LPDDR6 技術奠定了堅實基礎。
新思科技接口 IP 工程高級副總裁 Dino Toffolon 表示：“LPDDR6 IP 在臺積公司 N2P 工藝上的成功芯片點亮，是推動下一代內存技術落地的重要里程碑。通過提供經過驗證且值得信賴的 IP 解決方案，我們能夠幫助客戶更快開發面向移動終端、邊緣 AI 及高性能計算等應用的創新產品。”
從 IP 驗證到先進工藝實現，一系列成果充分證明，LPDDR6 已從傳統移動存儲技術演進為支撐 AI、高性能計算、汽車電子、邊緣計算和消費電子等多元市場的重要內存基礎設施。
在 10.67Gbps 下實現穩定可靠運行
驗證結果表明，新思科技 LPDDR6/5X/5 PHY IP 在 10.67Gbps 單引腳速率下實現了穩定可靠的運行，具體表現包括：
在完成完整 PHY 訓練后，讀寫眼圖保持清晰且開口良好，同時具備充足的水平裕量和垂直裕量；
通過接收端判決反饋均衡（Rx DFE）以及片上終端匹配（ODT）參數優化，有效提升了時序裕量和抖動裕量；
在新思科技測試平臺及 2 納米工藝測試芯片上，仿真結果、信道模型分析與實際硅測試結果之間表現出良好的一致性，驗證了設計模型和實現方案的準確性。
展望更高數據速率：邁向 14.4Gbps 的 LPDDR6
雖然新思科技已經在首批 LPDDR6 SDRAM 樣片支持的最高速率——10.67Gbps 下完成了互操作性驗證，但這并非 LPDDR6 IP 性能的終點。借助 IP 內建的自動測試設備（ATE）測試能力，新思科技進一步驗證了該內存接口 IP 可支持高達 14.4Gbps 的數據傳輸速率，如圖 2 所示。
這些測試結果表明，新思科技 LPDDR6 IP 已經為未來更高速率的 LPDDR6 產品做好準備。隨著存儲器廠商陸續推出性能更高的 LPDDR6 DRAM 器件，該 IP 有望平滑支持更高帶寬需求，為下一代移動終端、AI 應用、汽車電子和高性能計算平臺提供堅實的內存接口基礎。
圖2：新思科技 LPDDR6 IP 通過 ATE 測試驗證可支持高達 14.4Gbps 的數據傳輸速率
LPDDR6 引入了一系列重要創新，在提升單位功耗性能的同時，進一步增強了系統擴展能力，使其能夠滿足從移動終端到 AI 計算等不同應用場景的需求：
全新雙通道架構（2×24-bit）
采用雙 24 位通道組織方式，在提升有效數據寬度的同時提高數據傳輸效率，為高帶寬應用提供更強支撐。
速率路線圖最高可達 14.4Gbps
LPDDR6 規劃支持最高 14.4Gbps 的數據傳輸速率，相比 LPDDR5X 可實現約兩倍的有效帶寬提升，為下一代 AI 和高性能計算應用提供更充裕的內存帶寬。
DVFSL動態電壓頻率調節機制
引入低功耗動態電壓頻率縮放（DVFSL）技術，可根據實際工作負載動態調整帶寬和功耗，在性能與能效之間實現更優平衡。
更完善的可靠性保護機制
集成片上 ECC（On-Die ECC）、命令/地址奇偶校驗（CA Parity）以及激活追蹤（Activation Tracking）等功能，有效提升系統可靠性，并增強對 Row Hammer 問題的防護能力。
面向多元化市場應用設計
LPDDR6 已不再局限于移動終端，而是從架構設計之初便面向高性能計算（HPC）、人工智能（AI）、汽車 ADAS、消費電子以及嵌入式邊緣設備等廣泛應用領域進行優化。
業界觀點：共迎 LPDDR6 時代
美光（Micron）云端內存事業部生態發展總監 Gayathri Rao Subbu 表示：“LPDDR6 充分發揮了美光在低功耗 DRAM 領域的領先優勢，并結合先進的 NAND 和 SSD 技術，重新定義了內存與存儲之間的協同方式。美光與新思科技在 LPDDR 協同仿真、樣片支持和技術資料共享等方面持續合作，進一步強化了雙方的伙伴關系。隨著美光 LPDDR 創新技術持續提升帶寬并實現超低功耗，下一代解決方案將獲得更優異的性能和能效。結合新思科技等生態合作伙伴的技術進展，這些突破將推動 LPDDR6 在整個行業中的順利導入和規模化應用。”
三星（Samsung）產品規劃團隊副總裁兼負責人 Jangseok Choi 表示：“隨著新思科技 LPDDR6 IP 完成技術準備，三星期待能夠加快 LPDDR6 產品導入市場，并讓消費電子設備、數據中心以及汽車行業客戶充分體驗三星 LPDDR6 帶來的高性能和低功耗優勢。”
SK 海力士（SK hynix）DRAM 產品規劃副總裁 Sangkwon Lee 表示：“旗艦智能手機、汽車系統以及端側 AI 設備對性能的需求不斷提升，使 LPDDR6 成為低功耗 DRAM 發展的重要一步。新思科技在推動這一新標準落地方面發揮了重要作用，支持依賴 SK 海力士內存產品的各類應用順利向 LPDDR6 過渡。”
新思科技如何加速 LPDDR6 生態發展
為了推動 LPDDR6 的產業化導入，新思科技提供完整的 IP 解決方案，涵蓋控制器、PHY、安全 IP 以及驗證 IP，幫助客戶更快開展 LPDDR6 產品開發。
基于先進 GAA 工藝技術完成的早期硅驗證表明，新思科技 LPDDR6 IP 能夠在 10.67Gbps 速率下穩定運行，進一步增強了業界對 LPDDR6 生態成熟度的信心。
在 10.67Gbps 單引腳速率下實現清晰且開口良好的讀寫眼圖，不僅為 LPDDR6 系統級驗證奠定了堅實基礎，也再次體現了新思科技在下一代內存接口 IP 領域的技術領導力。
隨著高性能計算（HPC）、人工智能（AI）、汽車電子、消費電子以及邊緣計算等市場不斷追求更高帶寬，同時需要嚴格控制功耗，LPDDR6 將在性能與能效之間實現更優平衡，并成為下一代智能計算平臺的重要內存技術。
結論
本次新思科技LPDDR6 IP多速率實測驗證，是行業推進新一代內存技術商用落地的關鍵里程碑。依托成熟的PHY IP設計、優化的均衡與終端匹配技術，產品在主流10.67Gbps速率下實現穩定可靠運行，實測數據與仿真模型高度契合，充分印證了方案的穩定性與實用性。同時，技術層面已完成14.4Gbps超高帶寬的能力儲備，可適配未來高端設備的性能升級需求，具備極強的技術前瞻性與兼容性。
