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手機(jī)無線充電器壞了
對于手邊的一款外部引線斷裂的蘋果手機(jī)無線充電器進(jìn)行拆卸，觀察其內(nèi)部電路工藝設(shè)計(jì)。但是由于電路上主要芯片型號(hào)文字顯示不清，故此對于其主要工作原理尚不清楚。
2022-06-14
手機(jī) 無線充電器
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電解電容
在博文 基于光耦的LED振蕩電路[1] 介紹了一款基于光耦的多諧振蕩電路，對于光耦前向耦合電流增益的特性進(jìn)行了討論。博文分別被公眾號(hào) TSINGHUAZHUOQING[2] 與 電子工程專輯[3] 轉(zhuǎn)載。
2022-06-14
電解電容 光耦 振蕩電路
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“創(chuàng)新強(qiáng)鏈，雙驅(qū)發(fā)展”2022年中國（深圳）集成電路峰會(huì)
由深圳市人民政府聯(lián)合中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)集成電路設(shè)計(jì)分會(huì)、“核高基”國家科技重大專項(xiàng)總體專家組共同舉辦的以“創(chuàng)新強(qiáng)鏈，雙驅(qū)發(fā)展”為主題的“2022 中國（深圳）集成電路峰會(huì)”（以下簡稱：ICS2022 峰會(huì)），將于2022年6月30日至7月1日在深圳坪山格蘭云天國際酒店隆重舉行。
2022-06-13
中國（深圳）集成電路峰會(huì)
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功率半導(dǎo)體冷知識(shí)：功率器件的功率密度
功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計(jì)目標(biāo)。我們一路追求單位芯片面積的輸出電流能力，實(shí)現(xiàn)方法是：
2022-06-13
功率器件 功率密度
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25kW SiC直流快充設(shè)計(jì)指南(第五部分)：控制算法、調(diào)制方案和反饋
在本系列文章的第一至第四部分中[1-4]，我們從硬件角度分享并廣泛介紹了25 kW電動(dòng)汽車充電樁的開發(fā)。圖1代表到目前為止所討論的系統(tǒng)。
2022-06-13
直流快充 設(shè)計(jì)指南 控制算法
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電動(dòng)汽車對提高車輛效率的需求正在改變供應(yīng)鏈
幾年來，xEV的普及率一直很高。預(yù)計(jì)2021至2027年間，全球xEV市場的復(fù)合年增長率將達(dá)到21%，所有細(xì)分市場的復(fù)合年增長率都將加快。隨著BEV采用率的快速增長，混合動(dòng)力技術(shù)也將大幅增長。事實(shí)上，不同技術(shù)的普及率取決于地區(qū)。
2022-06-13
電動(dòng)汽車 車輛效率 供應(yīng)鏈
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保護(hù)IGBT和MOSFET免受ESD損壞
功率MOSFET用戶都非常熟悉“靜電敏感器件”警告標(biāo)志。然而，越熟悉越容易大意。從統(tǒng)計(jì)的角度來看，單個(gè)MOSFET不太可能被靜電放電（ESD)損壞。然而，在處理成千上萬個(gè)MOSFET時(shí)，極小的故障都可能帶來極大的影響。
2022-06-13
IGBT MOSFET ESD
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