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提升直流穩(wěn)壓電路的效率并降低噪聲
在高效率非常重要的場(chǎng)合，開關(guān)穩(wěn)壓器是電壓調(diào)節(jié)的理想選擇。但是，開關(guān)穩(wěn)壓器仍然會(huì)消耗一些能量，而且開關(guān)噪聲可能是一個(gè)挑戰(zhàn)。利用 Analog Device 的直通特性，用戶可以實(shí)現(xiàn)效率的顯著提升和無(wú)噪聲運(yùn)行。負(fù)載對(duì)電壓波動(dòng)的承受能力越強(qiáng)，潛在效益越大。
2023-09-20
直流穩(wěn)壓電路 噪聲 效率
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搭載1200V P7芯片的PrimePACK刷新同封裝功率密度
繼英飛凌1200V IGBT7 T7芯片在中小功率模塊產(chǎn)品相繼量產(chǎn)并取得客戶認(rèn)可后，英飛凌最新推出了適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)景的1200V IGBT7 P7芯片，并將其應(yīng)用在PrimePACK?模塊中，再次刷新了該封裝的功率密度上限。
2023-09-20
P7芯片 PrimePACK 功率密度
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LDO穩(wěn)壓器綜合指南：噪聲、折衷方案、應(yīng)用和趨勢(shì)
本文介紹 LDO穩(wěn)壓器選型 時(shí)幾個(gè)不太注意的關(guān)鍵參數(shù)。還針對(duì)特殊低噪聲要求，將開關(guān)穩(wěn)壓器和LDO穩(wěn)壓器進(jìn)行了比較。此外還討論了行業(yè)趨勢(shì)，以及介紹需要高性能LDO穩(wěn)壓器的應(yīng)用。
2023-09-20
LDO穩(wěn)壓器 噪聲 趨勢(shì)
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非隔離式變換器電磁干擾（EMI）的分析與建模方法（下）
如果在設(shè)計(jì)初期沒有考慮電磁干擾(EMI)問題，那元件在最終設(shè)計(jì)階段將很難滿足 EMI 要求。對(duì) EMI 進(jìn)行建模與分析將幫助設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)之初即優(yōu)化 EMI 并預(yù)測(cè) EMI 性能。
2023-09-20
變換器 電磁干擾 建模
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如何設(shè)計(jì)采用Sallen-Key濾波器的抗混疊架構(gòu)
此KWIK（技術(shù)訣竅與綜合知識(shí)）電路應(yīng)用筆記提供了解決特定設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)的分步指南。對(duì)于給定的一組應(yīng)用電路要求，本文說明了如何利用通用公式應(yīng)對(duì)這些要求，并使它們輕松擴(kuò)展到其他類似的應(yīng)用規(guī)格。
2023-09-20
Sallen-Key 濾波器 抗混疊架構(gòu)
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向連接器高頻高速輕薄化進(jìn)階!——對(duì)話優(yōu)群科技
世界領(lǐng)先的電子制造設(shè)備展會(huì)——慕尼黑上海電子展在2023年7月11-13日于國(guó)家會(huì)展中心正式拉開帷幕, 各大連接器企業(yè)在展會(huì)中紛紛攜帶特色電子產(chǎn)品亮相。
2023-09-19
連接器 高頻 優(yōu)群科技
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IO Link在工業(yè)的應(yīng)用及國(guó)產(chǎn)過壓保護(hù)設(shè)計(jì)
目前ST的IO Link應(yīng)用廣泛，ST使用的是型號(hào)為STM32F76的MCU。可以利用它來支持以太網(wǎng)或者現(xiàn)場(chǎng)的工業(yè)網(wǎng)絡(luò)總線。這個(gè)板上還有USB口，它可以連接電腦，使用TEConcept的IO-Link tool、IO-Link control Tool進(jìn)行測(cè)試和配置。同時(shí)，這板上還有ST的L6360芯片。
2023-09-19
IO Link 工業(yè)應(yīng)用 過壓保護(hù)
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