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重負(fù)載時(shí)中開關(guān)元件工作相關(guān)的注意事項(xiàng)
在重負(fù)載時(shí)，如果MOSFET的體二極管的反向恢復(fù)時(shí)間trr較長(zhǎng)，且有電流殘留，則在超前臂的MOSFET關(guān)斷時(shí)，寄生雙極晶體管可能會(huì)誤導(dǎo)通，從而損壞MOSFET。這種問題發(fā)生在由關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的對(duì)漏源電容CDS的充電電流而使寄生雙極晶體管自發(fā)地導(dǎo)通（誤導(dǎo)通）、瞬間流過大電流時(shí)。
2021-11-29
重負(fù)載 開關(guān)元件 注意事項(xiàng)
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IGBT的電流是如何定義的
IGBT的電流是器件基本參數(shù)之一，顯而易見FS450R12KE4就是450A 1200V IGBT模塊。這樣的理解對(duì)于日常工作交流來說是足夠了，但對(duì)于一位設(shè)計(jì)工程師是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的，而且業(yè)內(nèi)充滿著誤解和流言。
2021-11-29
IGBT 輸出電流 定義
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如何使用數(shù)字信號(hào)控制器構(gòu)建更好的汽車和電動(dòng)汽車系統(tǒng)
傳統(tǒng)的汽車和電動(dòng)汽車系統(tǒng)都依賴于無數(shù)電子設(shè)備的有效運(yùn)行，以實(shí)現(xiàn)便利功能以及關(guān)鍵任務(wù)功能安全功能。雖然提出了各種各樣的要求，但這些不同的應(yīng)用從根本上要求能夠在極端條件下運(yùn)行，同時(shí)提供可靠、高性能的實(shí)時(shí)響應(yīng)。
2021-11-26
數(shù)字信號(hào)控制器 汽車系統(tǒng) 電動(dòng)汽車系統(tǒng)
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了解 3 種靜態(tài)電流 (IQ) 的規(guī)格
靜態(tài)電流 (IQ) 通常定義為集成電路 (IC) 在空載和非開關(guān)但啟用狀態(tài)下消耗的電流。廣義上，靜態(tài)電流是 IC 在任何超低功耗狀態(tài)下消耗的輸入電流，這一定義更有助于我們理解靜態(tài)電流的內(nèi)涵。
2021-11-26
靜態(tài)電流 IQ
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高壓放大器在交變電場(chǎng)空間電荷測(cè)量研究中的應(yīng)用
交變高壓源為試樣材料提供測(cè)試所需的高壓電場(chǎng)環(huán)境。高壓源有兩種實(shí)現(xiàn)方式，一是直接選用高壓發(fā)生設(shè)備，二是采用高壓放大器，需要信號(hào)發(fā)生器輸入一個(gè)幅值較低的控制信號(hào)，放大器將控制信號(hào)放大后輸出。在交變電場(chǎng)空間電荷的測(cè)量中，需要協(xié)調(diào)交變高壓和脈沖源輸出在時(shí)序上的先后關(guān)系，測(cè)量特定相位點(diǎn)...
2021-11-26
高壓放大器 交變電場(chǎng)空間 電荷測(cè)量
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用于優(yōu)化ESD RF前端設(shè)計(jì)的SEED方法（第3部分）
通常，系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員使用反復(fù)試驗(yàn)的方法來添加 ESD 保護(hù)。那是否存在負(fù)面影響呢？?jī)H使用組件級(jí) ESD 規(guī)范不足以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。我們的目標(biāo)是預(yù)測(cè)最終手機(jī)設(shè)計(jì)的 ESD 性能，以創(chuàng)建一個(gè)提供 ESD 保護(hù)的萬無一失、一次性過關(guān)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
2021-11-26
ESD RF前端設(shè)計(jì) SEED方法
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關(guān)于4G/5G智能手機(jī)天線調(diào)諧的4點(diǎn)須知
天線效率在智能手機(jī)的整體 RF 性能中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。然而，當(dāng)前的智能手機(jī)工業(yè)設(shè)計(jì)趨勢(shì)和 RF 需求（尤其是即將過渡至 5G），意味著智能手機(jī)必須要將更多的天線安裝到更小的空間內(nèi)，并且/或者提高現(xiàn)有天線的帶寬。
2021-11-26
4G/5G 智能手機(jī) 天線調(diào)諧
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