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富士膠片開發出替代ITO的透明導電薄膜
富士膠片開發出了具有高透射率和彎曲性的透明導電薄膜。主要用于觸摸面板，計劃取代ITO薄膜使用。該公司在“第二屆尖端電子材料EXPO～材料日本～”（2011年1月19～21日，東京有明國際會展中心）上公開了試制品。
2011-01-28
富士膠片 ITO 透明 導電薄膜 觸摸面板
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廉價智能手機打開中國市場
近日基于中國政府今年目標實現3G用戶超過1億，市場不久將出現100美元以下的智能手機，電信運營商的補貼也同樣重要，高通投資部中國區高級總監沈勁(James Shen)日前表示。
2011-01-28
高通 廉價 智能手機 中國市場 android 電信
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健康3D電視成主流
2010年，3D電視迎來發展元年，隨著3D電視的普及，3D電視的健康問題一再升級倍受關注，國內外各大彩電品牌紛紛發起了3D健康革命，推出不閃式3D電視。
2011-01-28
3D 電視 液晶
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健康3D電視成主流
2010年，3D電視迎來發展元年，隨著3D電視的普及，3D電視的健康問題一再升級倍受關注，國內外各大彩電品牌紛紛發起了3D健康革命，推出不閃式3D電視。
2011-01-28
3D 電視 液晶
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2011年67%以上的液晶面板將采用LED背光
據IHS iSuppli公司預測，2011年全球出貨的三分之二以上大尺寸液晶面板將采用LED背光，該比例2010年低于50%。預計2011年將有67%的大尺寸液晶面板采用LED背光，高于2010年的44%。2011年LED背光大尺寸液晶面板出貨量將達到4.956億塊，比2010年的2.833億塊大增74.9%。
2011-01-28
液晶 面板LED背光
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2011年67%以上的液晶面板將采用LED背光
據IHS iSuppli公司預測，2011年全球出貨的三分之二以上大尺寸液晶面板將采用LED背光，該比例2010年低于50%。預計2011年將有67%的大尺寸液晶面板采用LED背光，高于2010年的44%。2011年LED背光大尺寸液晶面板出貨量將達到4.956億塊，比2010年的2.833億塊大增74.9%。
2011-01-28
液晶 面板LED背光
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飛兆推出UniFET? II MOSFET消費產品功率轉換器
開關電源的設計人員需要能夠耐受反向電流尖刺并降低開關損耗的高電壓MOSFET器件，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)憑借精深的MOSFET技術知識，開發出經優化的功率MOSFET產品UniFET? II MOSFET，新產品具有更佳的體二極管和更低的開關損耗，并可在二極管恢復dv/dt模式下耐受雙倍電流應力。
2011-01-27
UniFET? II MOSFET 飛兆 消費產品 功率轉換器 開關電源
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飛兆推出UniFET? II MOSFET消費產品功率轉換器
開關電源的設計人員需要能夠耐受反向電流尖刺并降低開關損耗的高電壓MOSFET器件，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)憑借精深的MOSFET技術知識，開發出經優化的功率MOSFET產品UniFET? II MOSFET，新產品具有更佳的體二極管和更低的開關損耗，并可在二極管恢復dv/dt模式下耐受雙倍電流應力。
2011-01-27
UniFET? II MOSFET 飛兆 消費產品 功率轉換器 開關電源
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飛兆推出UniFET? II MOSFET消費產品功率轉換器
開關電源的設計人員需要能夠耐受反向電流尖刺并降低開關損耗的高電壓MOSFET器件，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)憑借精深的MOSFET技術知識，開發出經優化的功率MOSFET產品UniFET? II MOSFET，新產品具有更佳的體二極管和更低的開關損耗，并可在二極管恢復dv/dt模式下耐受雙倍電流應力。
2011-01-27
UniFET? II MOSFET 飛兆 消費產品 功率轉換器 開關電源
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