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振蕩器價(jià)格上漲，交貨期延長(zhǎng)
市場(chǎng)對(duì)振蕩器的需求已大大加快，10月價(jià)格持續(xù)上漲，并導(dǎo)致交貨時(shí)間延長(zhǎng)。
2009-12-02
振蕩器 價(jià)格上漲 iSuppli
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振蕩器價(jià)格上漲，交貨期延長(zhǎng)
市場(chǎng)對(duì)振蕩器的需求已大大加快，10月價(jià)格持續(xù)上漲，并導(dǎo)致交貨時(shí)間延長(zhǎng)。
2009-12-02
振蕩器 價(jià)格上漲 iSuppli
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Witsview：2013年LED NB滲透率達(dá)100%
集邦科技WitsView光電事業(yè)處經(jīng)理邱宇彬25日在LED Forum 2009中，針對(duì)NB、Monitor與TV等LED背光趨勢(shì)指出，LED NB已是無法回頭的路，預(yù)估2013年滲透率達(dá)100%，不過LED Monitor相對(duì)受限，預(yù)估2011年才能進(jìn)入起飛的一年，而LED TV滲透率明年將大幅成長(zhǎng)80%來到13.2%。
2009-12-02
Samsung LED背光 NB 光學(xué)膜 Witsview
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CISSOID 推出了新系列高溫小信號(hào)晶體管
高溫半導(dǎo)體方案的領(lǐng)導(dǎo)者 CISSOID 推出了新產(chǎn)品的行星家族高溫晶體管和開關(guān)。汞是一種高溫 80V 的小信號(hào) N 溝道 MOSFET 晶體管，其保証的工作溫度範(fàn)圍為攝氏負(fù) 55 度至 225 度。
2009-12-02
CISSOID 晶體管 TO-39 CHT-SNMOS80
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CISSOID 推出了新系列高溫小信號(hào)晶體管
高溫半導(dǎo)體方案的領(lǐng)導(dǎo)者 CISSOID 推出了新產(chǎn)品的行星家族高溫晶體管和開關(guān)。汞是一種高溫 80V 的小信號(hào) N 溝道 MOSFET 晶體管，其保証的工作溫度範(fàn)圍為攝氏負(fù) 55 度至 225 度。
2009-12-02
CISSOID 晶體管 TO-39 CHT-SNMOS80
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京東方擬增發(fā)募資百億 建第8代TFT-LCD線
2008年7月，京東方定向增發(fā)4.11億股募集22.5億股用于在程度投建第4.5代TFT-LCD生產(chǎn)線。加上北京的第五代生產(chǎn)線，京東方共有4條TFT-LCD生產(chǎn)線。
2009-12-02
京東方 TFT-LCD 第八代
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防雷擊浪涌的開關(guān)電源電路設(shè)計(jì)
瞬間高電壓的雷擊浪涌以及信號(hào)系統(tǒng)浪涌是引起儀表穩(wěn)定性差的重要原因，信號(hào)系統(tǒng)浪涌電壓的主要來源是感應(yīng)雷擊、電磁干擾(EMI)、無線電干擾和靜電干擾。金屬物體(如電話線)受到這些干擾信號(hào)的影響，會(huì)使傳輸中的數(shù)據(jù)產(chǎn)生誤碼，影響傳輸?shù)臏?zhǔn)確性和傳輸速率。如何設(shè)計(jì)防雷電路成為儀表研發(fā)的關(guān)鍵問題。...
2009-12-02
雷擊 浪涌 開關(guān)電源 儀表研發(fā)
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京瓷徹底撤出在華手機(jī)業(yè)務(wù)，轉(zhuǎn)戰(zhàn)太陽能
11月24日，京瓷北京代表處新聞發(fā)言人向記者證實(shí)，京瓷天津工廠確實(shí)正在申請(qǐng)關(guān)閉，目前還在等待主管部門的最后審批意見。
2009-12-01
京瓷 手機(jī) 太陽能
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兩岸可合作電子書 有機(jī)會(huì)主導(dǎo)國(guó)際市場(chǎng)
據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)灣“經(jīng)濟(jì)部”次長(zhǎng)黃重球昨天在“兩岸信息產(chǎn)業(yè)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)論壇”上表示，電子書、電動(dòng)車是下一波兩岸可合作的領(lǐng)域。電子書是兩岸技術(shù)合作的新領(lǐng)域，未來可就電子閱讀器和數(shù)字內(nèi)容等軟硬件技術(shù)進(jìn)行交流。
2009-12-01
電子書 電動(dòng)車 兩岸
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