狠狠干狠狠操-久青草视频-天堂网站-欧美日韩亚洲综合-黄色三级av-成人欧美在线-综合久久av-欧美人与禽zozzozzo-国产黄色高清视频-97影音-亚洲视频图片小说-国产 欧美 自拍-毛片的网站-天天干人人-欧美黄色免费在线观看-亚洲香蕉中文网-99热这里只有精品5-这里只有精品免费视频-看国产一级片-中国女人av

你的位置:首頁 > 測試測量 > 正文

SSM3K318T:Toshiba推出60V N溝道高壓功率MOSFET

發布時間:2009-10-16 來源:中電網

產品特性:
  • 適合將電池電壓提升到需要打開LED陣列的電壓
  • 低導通電阻值為83.5毫歐姆(典型值)
  • 在VDS=30V的低電容為235pF
  • 新器件采用緊湊型TSM封裝,尺寸為2.9mmx2.8mmx0.7mm
適用范圍:
  • 目標應用LCD面板背景光,如汽車導航顯示器和12吋上網本PC
東芝美國電子元器件公司推出用于白光發光二極管(LED)的60V功率MOSFET驅動器,目標應用LCD面板背景光,如汽車導航顯示器和12吋上網本PC。這些應用通常需要24V~48V的高壓以激活串聯的8~16個白光LED。Toshiba SSM3K318T n 溝道功率MOSFET是小型尺寸,非常適合將電池電壓提升到需要打開LED陣列的電壓,具有更高效率的高速開關和低導通電阻(RDS(ON))。

SSM3K318T在VGS=10V的低導通電阻值為83.5毫歐姆(典型值),和在VDS=30V的低電容為235pF。新器件采用緊湊型TSM封裝,尺寸為2.9mmx2.8mmx0.7mm。
要采購開關么,點這里了解一下價格!
特別推薦
技術文章更多>>
技術白皮書下載更多>>
熱門搜索

關閉

?

關閉