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不加大内存也能提升多任务性能，江波龙与全志联合验证 HLCache 存储优化方案
端侧 AI 普及之后，平板、IoT 设备多任务越来越多，厂商普遍面临两难：加大 DRAM 会拉高整机 BOM，小内存又容易出现 App 后台被杀、切换卡顿。江波龙自研 HLCache™高级缓存技术，把 DRAM 里的冷数据分流到 UFS 闪存，用存储硬件分担内存压力，不用扩容物理内存就能改善流畅度。近期江波龙与全志科技达成联合测试，在全志 A 系列 AI 芯片平台上，对搭载慧忆微自研主控的 HLCache UFS 完成整机调优。实测结果显示，仅配备 4GB DDR 的设备，开启这项技术后，App 保活率实现翻倍，应用启动速度已经追上常规 6GB 内存机型，为 IoT 与平板厂商提供了低成本优化方案。该方案还支持手机、AI PC 等多类终端，即将在慕尼黑电子展现场演示。
2026-10-23
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中微 Primo Domingo 高选择性刻蚀机全球首台付运，补齐三维器件刻蚀短板
中微公司宣布，Primo Domingo® 气相高选择性刻蚀设备全球首台机交付国内集成电路客户。高选择性刻蚀是 GAA、3D NAND、3D DRAM 这类三维芯片制造的核心工序，该设备的落地填补了国内下一代 3D 器件关键刻蚀工艺的自主空白。设备采用全对称腔体、双冷热晶圆基座、快速脉冲气控等设计，搭配成熟的传输系统，保障晶圆刻蚀均匀性与工艺稳定性。目前中微刻蚀设备覆盖 65nm 至 3nm 及更先进节点，超高深宽比刻蚀能力达到国际一流水准，公司整体已经形成刻蚀、薄膜、量测等多品类设备平台化布局，累计超 8800 个反应台在海内外产线量产。面向未来，中微计划持续拓展产品线，瞄准高端半导体设备与先进封装设备市场。在 AI 算力带动晶圆厂扩产、存储资本开支上行的背景下，这款设备也有望带动国内三维器件供应链自主能力进一步提升。
2026-10-23
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长鑫LPDDR6拿下全球首发，落地小米旗舰处理器
LPDDR6标准发布刚满一年，全球首款支持它的旗舰处理器已经落地了——小米玄戒O3，首发搭载的内存来自长鑫。8月24日小米官宣的这条消息，背后其实有两层意思：一是玄戒O3在内存规格上抢了个全球第一，二是国产DRAM第一次在最新一代低功耗内存标准上拿到了首发商用资格。长鑫的这颗LPDDR6，16Gb单颗粒容量、10667Mbps起步速率、1295 Ball的POP封装，从3月送样到8月验证收尾，节奏踩得很紧。过去每一代内存标准的更替，都是一轮市场份额重新划分的窗口，而这次站在窗口前排的，是长鑫科技。
2026-08-25
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Gartner预测：2026年全球半导体收入将达1.6万亿美元，同比增长92%
Gartner最新发布的半导体收入预测，数字相当扎眼：2026年全球半导体收入预计达到1.6万亿美元，比2025年增长92%，2027年还要再冲到1.9万亿。驱动这个增速的，一是AI基础设施的持续投入，二是内存价格进入了一个超预期的上行周期。内存今年在半导体总收入中的占比将从27%跳到54%，DRAM和NAND的增幅分别达到246%和371%。Gartner的分析师认为，这已经不是一个普通的周期波动，而是半导体行业进入了一个本质上不同的增长阶段。
2026-08-24
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一颗NOR，撑起AI耳机、ADAS与HBM4服务器的底层信任
在半导体存储领域，NOR Flash虽不如DRAM或NAND Flash广为人知，却凭借其“芯片内执行”（XIP）、高可靠性、快速启动和长数据保留等独特优势，在物联网、汽车电子、AI终端及AI服务器等关键场景中扮演着不可替代的角色。从上世纪80年代诞生至今，NOR Flash已从功能机固件存储走向智能时代的高性能刚需元件。尤其在AI与自动驾驶浪潮推动下，其市场需求激增、价格上扬，并催生本土MCU企业加速布局“MCU+存储”生态。与此同时，3D NOR Flash技术的突破更将存储密度与性能推向新高度，为行业打开全新成长空间。
2026-02-12
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10nm以下DRAM，三星DRAM技术突破存储行业版图
10纳米以下节点的技术突破成为行业发展的关键门槛。三星电子与三星综合技术院联手，在IEEE国际电子器件会议上公布了——可用于10纳米以下制程DRAM的高耐热核心技术，为这一领域带来了历史性突破。这项以非晶态铟镓氧化物材料为核心的创新，不仅攻克了CoP架构量产的高温工艺难题，更以扎实的稳定性数据为0a、0b世代DRAM的商用铺平道路，其对全球存储芯片行业的重构价值值得深入关注。
2025-12-18
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有机基板 + 精简引脚，SPHBM4 的双重技术突破
SPHBM4在沿用标准HBM4 DRAM核心层、保障容量扩展能力的基础上，通过接口基础裸片的创新性设计实现了关键突破——I/O数据引脚数量锐减至标准HBM4的四分之一。依托有机基板替代硅基板、更高工作频率及4:1串行化技术的协同作用，这款新型内存不仅适配更低凸点间距密度的材料特性，更为提升单一封装内存堆栈数量、拓展系统总容量开辟了新路径，将对高性能计算存储领域产生深远影响。
2025-12-12
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国产超强手机内存长鑫LPDDR5X来了
近日，长鑫存储（CXMT）正式宣布，已成功实现LPDDR5X系列内存芯片的研发与量产，标志着我国在高端移动存储技术领域实现关键突破。这一里程碑进展不仅填补了国产DRAM在旗舰级手机应用中的空白，也意味着国产高端智能手机正加速摆脱对美韩存储芯片的长期依赖。
2025-10-27
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华邦电子重新定义AI内存：为新一代运算打造高带宽、低延迟解决方案
随着高效能运算（HPC）工作负载日益复杂，生成式 AI 正加速整合进现代系统，推动先进内存解决方案的需求因此日益增加。为了应对这些快速演进的需求，业界正积极发展新一代内存架构，致力于提升带宽、降低延迟，同时增加电源效能。DRAM、LPDDR 以及利基型内存技术的突破正重新定义运算效能，而专为 AI 优化的内存方案，则扮演了驱动效率与扩展性的关键角色。华邦的半定制化超高带宽元件 (CUBE) 内存即是此进展的代表，提供高带宽、低功耗的解决方案，支持 AI 驱动的工作负载。本文将探讨内存技术的最新突破、AI 应用日益增长的影响力，以及华邦如何透过策略性布局响应市场不断变化的需求。
2025-08-28
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14.4Gbps 狂飙！Cadence 全球首发 LPDDR6/5X IP 点亮下一代 AI
楷登电子（Cadence，NASDAQ：CDNS）近日成功流片业界首款LPDDR6/5X内存IP系统解决方案，支持14.4Gbps超高速率，较前代LPDDR DRAM性能提升50%。该方案专为新一代AI基础设施设计，可满足大语言模型（LLM）、智能代理等计算密集型应用对内存带宽与容量的严苛需求。目前，Cadence正与全球头部AI、高性能计算（HPC）及数据中心客户展开深度合作，共同推动AI算力架构的存储升级。
2025-07-17
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提高下一代DRAM器件的寄生电容性能
随着传统DRAM器件的持续缩小，较小尺寸下寄生电容的增加可能会对器件性能产生负面影响，未来可能需要新的DRAM结构来降低总电容，并使器件发挥出合格的性能。本研究比较了6F2蜂窝动态随机存取存储器 (DRAM) 器件与4F2垂直通道访问晶体管 (VCAT) DRAM结构的寄生电容。结果表明，与6F2结构相比，4F2结构显著降低了节点接触 (NC) 与位线 (BL) 之间的寄生电容。尽管4F2器件其他组件之间的寄生电容相比6F2器件略有增加，但它们仍处于支持器件达成目标性能的合格水平。相比6F2器件，4F2 DRAM器件的总寄生电容得到有效降低，可能在器件尺寸较小的情况下提供更优的性能。
2024-11-20
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DigiKey开售Kingston的内存产品和存储解决方案
DigiKey 宣布与 Kingston Technology（金士顿）合作，向全球分销其内存产品和存储解决方案。作为全球最大的独立存储器产品制造商之一，Kingston 面向各种规模的工业和嵌入式 OEM 客户，提供包括 eMMC、eMCP、ePoP、UFS 和 DRAM 组件在内的各种存储产品。该公司还提供一系列专为系统设计师和制造者打造的工业级 SATA 和 NVMe 固态硬盘 (SSD)。
2024-07-27
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