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如何正确使用场效应管？从选型偏置到散热防护的必修课
场效应晶体管（FET）凭借其独特的电压控制机制和优异的物理特性，在从微小信号放大到大规模集成电路集成的广阔领域中有着重要地位。与传统的电流控制型双极性晶体管不同，场效应管利用多数载流子导电，不仅具备极高的输入阻抗和对称的源漏结构，更展现出卓越的温度稳定性和低功耗优势。本文将深入剖析场效应管按结构、沟道材料及导电方式的精细分类，并重点阐述在实际工程应用中，为确保器件安全可靠运行所必须遵循的静电防护、偏置规范及散热设计等关键注意事项，旨在为电子电路的设计与维护提供坚实的理论依据与实践指导。
2026-02-26
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光电耦合器的进阶：全面了解光继电器技术与选型策略
光继电器，亦称光电继电器或光电耦合继电器，是一种交直流并用的半导体继电器。其核心结构采用发光器件（如红外发光二极管）和受光器件（如光电二极管阵列及MOS场效应管）一体化设计。通过这种设计，光继电器实现了输入侧与输出侧之间完全的电气隔离，信号则通过光信号进行传输。
2025-10-31
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FET 生物传感器的直流I-V 特性研究
由于半导体生物传感器的低成本、迅速反应、检测准确等优点，对于此类传感器的研究和开发进行了大量投入。特别是基于场效应晶体管 (FET) 的生物传感器或生物场效应管，它们被广泛用于各种应用：如生物研究，即时诊断，环境应用，以及食品安全。
2023-11-20
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一文详解场效应管电流源
FET电流源是一种有源电路，它使用场效应晶体管为电路提供恒定量的电流。但是，为什么还要恒定电流呢？恒流源和吸电流（吸电流与电流源相反）是一种非常简单的方法，只需使用单个FET和电阻即可形成具有恒定电流值的偏置电路或基准电压源，例如100uA、1mA或20mA。
2023-08-14
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功率放大器电路中的三极管和MOS管，究竟有什么区别？
学习模拟电子技术基础，和电子技术相关领域的朋友，在学习构建功率放大器电路时最常见的电子元器件就是三极管和场效应管（MOS管）了。那么三极管和MOS管有哪些联系和区别呢？在构建功率放大器电路时我们要怎么选择呢？
2023-05-23
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石墨烯场效应管
随着硅晶体管的尺寸和性能接近其物理极限，需要寻找替代材料来支持更多的新兴技术， 其中一个具有希望的材料石墨烯。由于其出色的电气、机械和热性能，使得它最有可能成为场效应晶体沟道材料。
2023-05-17
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电力场效应管的结构和工作原理
功率场效应管(Power MOSFET)也叫电力场效应晶体管，是一种单极型的电压控制器件，不但有自关断能力,而且有驱动功率小,开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点。由于其易于驱动和开关频率可高达500kHz，特别适于高频化电力电子装置，如应用于DC/DC变换、开关电源、便携式电子设备、航空航天以及汽车等电子电器设备中。但因为其电流、热容量小，耐压低，一般只适用于小功率电力电子装置。
2023-04-25
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RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用
MOSFET是集成电路中带有绝缘层的栅型场效应管，主要分为N沟道和P沟道两大类。其中N沟道MOS管电路中BEEP引脚可以控制蜂鸣器响应和关闭，P沟道MOS管可以控制GPS模块电源的通断。总的来说MOS管有着很高的输入阻抗，能够在电路中方便直接耦合，容易制作成为大规模的集成电路，还能作为可变电阻和电子开关。
2022-11-25
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科普：MOSFET结构及其工作原理
MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体)+FET(Field Effect Transistor场效应晶体管)这个两个缩写组成。即通过给金属层(M-金属铝)的栅极和隔着氧化层(O-绝缘层SiO2)的源极施加电压，产生电场的效应来控制半导体(S)导电沟道开关的场效应晶体管。由于栅极与源极、栅极与漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离，MOSFET因此又被称为绝缘栅型场效应管。
2022-11-04
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变频器用IGBT模块的故障分析及静态测量
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
2022-06-21
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【收藏】史上最全MOSFET技术疑难盘点
导体三极管中参与导电的有两种极性的载流子，所以也称为双极型三极管。本文介绍另一种三极管，这种三极管只有一种载流子参与导电，所以也称为单极型三极管，因为这种管子是利用电场效应控制电流的，所以也叫场效应三极管(FET)，简称场效应管。MOS在电路中应用很常见，主要作为开关管，在电机驱动电路中常见。
2021-03-22
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热释电红外传感器原理与参数介绍
【导读】热释电红外传感器通过目标与背景的温差来探测目标，其工作原理是利用热释电效应，即在钛酸钡一类晶体的上、下表面设置电极，在上表面覆以黑色膜，若有红外线间歇地照射，其表面温度上升△T，其晶体内部的原子排列将产生变化，引起自发极化电荷，在上下电极之间产生电压△U。 热释电红外传感器通过目标与背景的温差来探测目标，其工作原理是利用热释电效应，即在钛酸钡一类晶体的上、下表面设置电极，在上表面覆以黑色膜，若有红外线间歇地照射，其表面温度上升△T，其晶体内部的原子排列将产生变化，引起自发极化电荷，在上下电极之间产生电压△U。常用的热释电红外线光敏元件的材料有陶瓷氧化物和压电晶体，如钛酸钡、钽酸锂、硫酸三甘肽及钛铅酸铅等。 热释电红外传感器内部由光学滤镜、场效应管、红外感应源(热释电元件)、偏置电阻、EMI电容等元器件组成，其内部电路框图如图1所示。 光学滤镜的主要作用是只允许波长在10μm左右的红外线(人体发出的红外线波长)通过，而将灯光、太阳光及其他辐射滤掉，以抑制外界的干扰。 红外感应源通常
2021-02-08
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